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| 电学测试的汞探针装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1855/331  |  提交时间:2010/08/12 |
| 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 赵永梅; 宁 瑾; 孙国胜; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(713Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1491/272  |  提交时间:2010/03/19 |
| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1527/262  |  提交时间:2010/03/19 |
| 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1418/242  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhu NH; Li W; Wang LX; Chen SF; Ke JH; Zhang YL; Wen JM; Liu Y; Wang X; Yan HQ; Xie L; Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn; liwei05@semi.ac.cn; lxwang@semi.ac.cn; sfchen@semi.ac.cn; jhke@semi.ac.cn; ylzhang@semi.ac.cn; jmwen@semi.ac.cn; yliu@semi.ac.cn; wxin@semi.ac.cn; Xiel@semi.ac.cn Adobe PDF(1585Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1685/388  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei TB; Hu Q; Duan RF; Wang JX; Zeng YP; Li JM; Yang Y; Liu YL; Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1127/294  |  提交时间:2010/03/08 |
| Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007 作者: Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP; Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1879/307  |  提交时间:2010/03/09 Silicon Carbide Aluminum Nitride Buffer Layer Lpcvd |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu XQ; Liu XL; Yang SY; Liu JM; Wei HY; Zhu QS; Wang ZG; Xu XQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlliu@red.semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1311/369  |  提交时间:2010/03/08 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1466/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段瑞飞; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/234  |  提交时间:2009/06/11 |