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| 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 段瑞飞 ; 刘喆; 钟兴儒; 魏同波; 马平; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强
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| 神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 期刊论文
空间科学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 455-461
Authors: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英
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| 用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 期刊论文
科学通报, 2001, 卷号: 2035, 期号: 0
Authors: 陈诺夫; 修慧欣; 杨君玲; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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| 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫
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| 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒
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| 下开平动式直拉单晶炉 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 钟兴儒; 田金法; 吴金良; 林兰英; 陈诺夫
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| 一种新型的超导磁场单晶炉的研制 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 453
Authors: 吴金良; 钟兴儒; 陈诺夫; 田金法; 林兰英
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