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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  王圩;  刘国利;  张静媛
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song, YP;  Zhang, HZ;  Lin, C;  Zhu, YW;  Li, GH;  Yang, FH;  Yu, DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1504/510  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(218Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1170/450  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Zhang BS;  Wu M;  Li DB;  Zhang JC;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/330  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Li CM;  Zhang ZY;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1507/532  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Zhang CG;  Bian LF;  Hsu CC;  Ma BS;  Li GH;  Zhu JJ;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu W;  Li DB;  Li CR;  Zhang Z;  Li, CR, Chinese Acad Sci, Beijing Lab Electron Microscopy, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: crli@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yi WB;  Zhang EX;  Chen M;  Li N;  Zhang GQ;  Liu ZL;  Wang X;  Yi, WB, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 20050, Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1015/358  |  提交时间：2010/03/09