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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei M;  Wang XL;  Pan X;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Wang ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. mengw@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Yin HB;  Li JM;  Wang ZG;  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Feng C;  Jiang LJ;  Yin HB;  Chen H;  Pan, X (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, xpan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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