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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴猛 ; 曾一平; 王军喜; 胡强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
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| 采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102181921A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 一种对半导体材料进行霍尔测试的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910244534.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李弋洋; 李成基; 曾一平
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| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
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| 一种用于金属有机物化学气相沉积设备的进气喷头结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010269018.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 胡国新; 梁勇; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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