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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YX (Zhang Yun-Xiao);  Liao ZY (Liao Zai-Yi);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhou F (Zhou Fan);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Wang W (Wang Wei);  Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangyx@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄祖炎;  韦欣;  王青;  宋国峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  彭震宇;  周志强;  徐应强;  牛智川
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhao, YW;  Zhang, F;  Zhang, R;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  Defect  Vacancy  
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  X-ray Diffraction  Defects  Single Crystal  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xcwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1562/681  |  提交时间：2010/03/08