SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱
郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川
2009
Source Publication红外与激光工程
Volume38Issue:2Pages:278-281
Abstract采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm~(-1),频移温度系数约为0.023 cm~(-1)/K.光致发光(PL)峰在2.4~2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15~150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15~50 K随温度升高而升高,在60~150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.
metadata_83西北工业大学,材料学院;中国空空导弹研究院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3593328
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15773
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郭杰,孙维国,彭震宇,等. InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱[J]. 红外与激光工程,2009,38(2):278-281.
APA 郭杰,孙维国,彭震宇,周志强,徐应强,&牛智川.(2009).InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱.红外与激光工程,38(2),278-281.
MLA 郭杰,et al."InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱".红外与激光工程 38.2(2009):278-281.
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