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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
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提交时间:2009/06/11
利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:
冯向旭
;
张宁
;
刘乃鑫
;
付丙磊
;
朱绍歆
;
张连
;
魏同波
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(231Kb)
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浏览/下载:1225/133
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提交时间:2014/11/17
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
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赵万顺
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樊中朝
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王晓峰
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王晓东
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赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(1167Kb)
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提交时间:2016/09/29