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High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions 期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 7302
Authors:  Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
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K+-Na+离子交换玻璃波导及LiNbO3热光器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1992
Authors:  何志义
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
Inventors:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
Inventors:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
Inventors:  张硕;  段瑞飞;  何志;  魏同波;  张勇辉;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
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材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
Inventors:  赵永梅;  何志;  季安;  刘胜北;  黄亚军;  杨香;  段瑞飞;  张明亮;  王晓东;  杨富华
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