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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
Authors:  刘胜北
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4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  刘胜北
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4h-sic  肖特基二极管  Jbs  沟槽型肖特基  欧姆接触  
Growth of Hexagonal Columnar Nanograin Structured SiC Thin Films on Silicon Substrates with Graphene-Graphitic Carbon Nanoflakes Templates from Solid Carbon Sources 期刊论文
MATERIALS, 2013, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 1543-1553
Authors:  Liu, Xingfang;  Sun, Guosheng;  Liu, Bin;  Yan, Guoguo;  Guan, Min;  Zhang, Yang;  Zhang, Feng;  Chen, Yu;  Dong, Lin;  Zheng, Liu;  Liu, Shengbei;  Tian, Lixin;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Zeng, Yiping
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
Inventors:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
Inventors:  郑柳;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  曾一平
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碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
Inventors:  董林;  孙国胜;  赵万顺;  王雷;  刘兴昉;  刘斌;  张峰;  闫果果;  郑柳;  刘胜北
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一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
Inventors:  刘兴昉;  刘斌;  郑柳;  董林;  刘胜北;  闫果果;  孙国胜;  曾一平
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一种半导体薄膜生长设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
Inventors:  刘兴昉;  刘斌;  郑柳;  董林;  刘胜北;  闫果果;  孙国胜;  曾一平
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4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
Inventors:  刘斌;  孙国胜;  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  刘胜北;  张峰;  赵万顺;  王雷;  曾一平
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