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GaN材料掺杂特性及LED器件droop效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  付丙磊
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利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
Inventors:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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