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AlInGaN四元合金的外延生长及LED器件设计与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  冯向旭
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Alingan  Led  Mocvd  
利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1168/133  |  提交时间：2014/11/17