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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1522/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨霏; 陈诺夫 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1144/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化铝交叠式单片集成微通道热沉 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马杰慧; 方高瞻; 马骁宇; 蓝永生 Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1979/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1632/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1554/283  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2109/447  |  提交时间:2012/08/29 |
| 氮化铝单晶材料制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林 Adobe PDF(872Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:593/69  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孔苏苏; 李辉杰; 冯玉霞; 赵桂娟; 魏鸿源; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1285Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:569/3  |  提交时间:2016/08/30 |