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浏览/检索结果: 共18725条，第11370-11389条
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jian-Yan Chen, Junqi Liu, Tao Wang, Fengqi Liu and Zhanguo Wang
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang L;  Liao ZY;  Cheng YB;  Zhao LJ;  Pan JQ;  Zhou F;  Wang W;  Wang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrat Optoelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wanglu@semi.ac.cn
Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors 会议论文
作者:  Wang Y;  Han WH;  Yang X;  Chen JJ;  Yang FH;  Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yuheng;   Liang, Feng;   Zhao, Degang;   Yang, Jing;   Chen, Ping;   Liu, Zongshun
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C (Zhao C.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Zhao M (Zhao Man);  Zhang CL (Zhang C. L.);  Xu B (Xu B.);  Yu LK (Yu L. K.);  Sun J (Sun J.);  Lei W (Lei W.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: czhao@semi.ac.cn
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, Li-Bin;   Huang, Xin-Yu;   Zhang, Shan;   Chen, Xue;   Dong, Xian-Hui;   Jin, He;   Jiang, Zhen-Yu;   Gong, Xiao-Ran;   Xie, Yi-Xuan;   Li, Chen;   Chi, Zong-Tao;   Xie, Wan-Feng
磨抛机自动滴研磨液装置 专利
专利类型: 专利,
作者:  王大拯
MOPA器件的理论研究与可视化设计和模拟 学位论文
作者:  陈昌华
膜片式光纤压强传感器 专利
专利类型: 专利,
作者:  张文涛;  李芳;  刘育梁
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文
作者:  Sun, GS (Sun, G. S.);  Liu, XF (Liu, X. F.);  Gong, QC (Gong, Q. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Li, JM (Li, J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo-Wei Zha;  Li-Chun Zhang;  Ying Yu;  Jian-Xing Xu;  Si-Hang Wei;  Xiang-Jun Shang;  Hai-Qiao Ni;  Zhi-Chuan Niu
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sang, L;  Liu, JM;  Xu, XQ;  Wang, J;  Zhao, GJ;  Liu, CB;  Gu, CY;  Liu, GP;  Wei, HY;  Liu, XL;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guozhi Jia;  Zengna Wu;  Peng Wang;  Jianghong Yao;  Kai Chang
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guozhi Jia;  Zengna Wu;  Peng Wang;  Jianghong Yao;  Kai Chang
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huijie Li;  Guijuan Zhao;  Susu Kong;  Dongyue Han;  Hongyuan Wei;  Lianshan Wang;  Zhen Chen;  Shaoyan Yang
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Si JJ;  Yang QQ;  Teng D;  Wang HJ;  Yu JZ;  Wang QM;  Guo LW;  Zhou JM;  Si JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong, SS;  Wei, HY;  Yang, SY;  Li, HJ;  Feng, YX;  Chen, Z;  Liu, XL;  Wang, LS;  Wang, ZG
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.