SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 14 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
Effect of growth temperature of GaAs 𝑦 Sb 1−𝑦 metamorphic buffer layer on electron mobility of InAs/AlSb heterostructures grown on Si substrate 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 118102
Authors:  Jing Zhang;  Hong-Liang Lv;  Hai-Qiao Ni;  Shi-Zheng Yang;  Xiao-Ran Cui;  Zhi-Chuan Niu;  Yi-Men Zhang and Yu-Ming Zhang
Adobe PDF(2387Kb)  |  Favorite  |  View/Download:21/0  |  Submit date:2020/07/30
Elimination of Bimodal Size in InAs/GaAs Quantum Dots for Preparation of 1.3-μm Quantum Dot Lasers 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2018, 卷号: 13, 页码: 59
Authors:  Xiang-Bin Su ;   Ying Ding ;   Ben Ma ;   Ke-Lu Zhang ;   Ze-Sheng Chen ;   Jing-Lun Li ;   Xiao-Ran Cui ;  Ying-Qiang Xu ;   Hai-Qiao Ni ;   Zhi-Chuan Niu
Adobe PDF(1608Kb)  |  Favorite  |  View/Download:68/0  |  Submit date:2019/11/18
氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
Inventors:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
Adobe PDF(486Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1041/220  |  Submit date:2010/03/19
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1060/220  |  Submit date:2009/06/11
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1112/246  |  Submit date:2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1006/200  |  Submit date:2009/06/11
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
Adobe PDF(986Kb)  |  Favorite  |  View/Download:961/189  |  Submit date:2009/06/11
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
Adobe PDF(1062Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1001/181  |  Submit date:2009/06/11
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
Adobe PDF(973Kb)  |  Favorite  |  View/Download:977/176  |  Submit date:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
Adobe PDF(1354Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1010/172  |  Submit date:2009/06/11