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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wei M;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Wang XL;  Pan, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100864, Peoples R China. xpan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Guo, LC;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Li, JP;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Luo, MC;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Zhu, QS;  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Wang Q;  Lin ZL;  Li CG;  Zhou ML;  　 (　)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Wang Q;  Zhou ML;  Li CG;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：858/226  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YX;  Chen X;  Wang YX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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