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Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650
Authors:  Shen Xiaoming;  Wang Yutian;  Wang Jianfeng;  Liu Jianping;  Zhang Jicai;  Guo Liping;  Jia Quanjie;  Jiang Xiaoming;  Hu Zhengfei;  Yang Hui;  Liang Junwu
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氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 期刊论文
高技术通讯, 2005, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 62-67
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  沈晓明;  段俐宏;  杨辉
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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
Authors:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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GaN/GaAs(001)薄膜的MOCVD生长与结构特性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
Authors:  沈晓明
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Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 279-283
Authors:  张泽洪;  孙元平;  赵德刚;  段俐宏;  王俊;  沈晓明;  冯淦;  冯志宏;  杨辉
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GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 期刊论文
中国科学. G辑，物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
Authors:  冯淦;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN的持续光电导 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 34-38
Authors:  张泽洪;  赵德刚;  孙元平;  冯志宏;  沈晓明;  张宝顺;  冯淦;  郑新和;  杨辉
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Growth of Cubic GaN by MOCVD at High Temperature 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 120-123
Authors:  Fu Yi;  Sun Yuanping;  Shen Xiaoming;  Li Shunfeng;  Feng Zhihong;  Duan Lihong;  Wang Hai;  Yang Hui
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立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性 期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255
Authors:  沈晓明;  渠波;  冯志宏;  杨辉
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用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1093-1097
Authors:  沈晓明;  付羿;  冯淦;  张宝顺;  冯志宏;  杨辉
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