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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [13]
集成光电子学国家重点... [1]
Authors
王玉田 [8]
赵德刚 [3]
朱建军 [1]
张书明 [1]
Document Type
Journal a... [13]
Thesis [1]
Date Issued
2011 [1]
2003 [2]
2002 [4]
2001 [7]
Language
中文 [13]
Source Publication
中国科学. A辑,数... [3]
中国科学. E辑,技... [2]
半导体学报 [2]
Chinese Jo... [1]
中国科学. A辑, ... [1]
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含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
期刊论文
科学通报, 2011, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 174-178
Authors:
唐龙娟
;
郑新和
;
张东炎
;
董建荣
;
王辉
;
杨辉
Adobe PDF(2981Kb)
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Submit date:2011/08/16
Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体
期刊论文
无机材料学报, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1351-1356
Authors:
林志浪
;
郑新和
;
王群
;
周美玲
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Submit date:2010/11/23
立方相GaN的持续光电导
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 34-38
Authors:
张泽洪
;
赵德刚
;
孙元平
;
冯志宏
;
沈晓明
;
张宝顺
;
冯淦
;
郑新和
;
杨辉
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Submit date:2010/11/23
多型体材料SiC和GaN外延薄膜的相及缺陷分析
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
Authors:
郑新和
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Submit date:2009/04/13
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
Authors:
孙元平
;
付羿
;
渠波
;
王玉田
;
冯玉宏
;
赵德刚
;
郑新和
;
段俐宏
;
李秉臣
;
张书明
;
杨辉
;
姜晓明
;
郑文莉
;
贾全杰
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Submit date:2010/11/23
GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
Authors:
冯淦
;
郑新和
;
朱建军
;
沈晓明
;
张宝顺
;
赵德刚
;
孙元平
;
张泽洪
;
王玉田
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23
横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
期刊论文
核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774
Authors:
冯淦
;
郑新和
;
王玉田
;
杨辉
;
梁骏吾
;
郑文莉
;
贾全杰
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Submit date:2010/11/23
Determination of structure and polarity of SiC single crystal by X-ray diffraction technique
期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35-39
Authors:
Zheng Xinhe, Qu Bo, Wang Yutian, Yang Hui, Liang Junwu
Adobe PDF(1569Kb)
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Submit date:2014/05/15
使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
Authors:
郑新和
;
渠波
;
王玉田
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23
立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
Authors:
渠波
;
郑新和
;
王玉田
;
韩景仪
;
徐大鹏
;
林世鸣
;
杨辉
;
梁骏吾
Adobe PDF(216Kb)
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Submit date:2010/11/23