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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Wan KS (Wan Keshu);  Porporati AA (Porporati Alessandro Alan);  Feng G (Feng Gan);  Yang H (Yang Hui);  Pezzotti G (Pezzotti Giuseppe);  Wan, KS, Kyoto Inst Technol, Ceram Phys Lab, Sakyo Ku, Kyoto 6068585, Japan. E-mail: pezzotti@chem.kit.ac.jp
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氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  冯淦;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
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GaN的MOVPE横向外延生长及其结构特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
Authors:  冯淦
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  张泽洪;  孙元平;  赵德刚;  段俐宏;  王俊;  沈晓明;  冯淦;  冯志宏;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  王俊;  赵德刚;  刘宗顺;  冯淦;  朱建军;  沈晓民;  张宝顺;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  冯淦;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  张泽洪;  赵德刚;  孙元平;  冯志宏;  沈晓明;  张宝顺;  冯淦;  郑新和;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  沈晓明;  付羿;  冯淦;  张宝顺;  冯志宏;  杨辉
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