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立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性 期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255
Authors:  沈晓明;  渠波;  冯志宏;  杨辉
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GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
Authors:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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氮化镓基材料的结构特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
Authors:  渠波
Adobe PDF(8902Kb)  |  Favorite  |  View/Download：553/29  |  Submit date：2009/04/13
Determination of structure and polarity of SiC single crystal by X-ray diffraction technique 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35-39
Authors:  Zheng Xinhe, Qu Bo, Wang Yutian, Yang Hui, Liang Junwu
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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文） 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 1222
Authors:  刘文楷;  林世鸣;  武术;  朱家廉;  高俊华;  渠波;  陆建祖;  廖奇为;  邓晖;  陈弘达
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立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征 期刊论文
中国科学. E辑，技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  韩景仪;  徐大鹏;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定 期刊论文
中国科学. A辑，数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 146
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  冯志宏;  韩景仪;  刘世安;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文
中国科学. A辑， 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
Authors:  渠波;  李顺峰;  胡国新;  郑新和;  王玉田;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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Si（001）衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量 期刊论文
中国科学. A辑，数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 242
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  戴自忠;  杨辉;  梁骏吾
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