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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [11]
Authors
王玉田 [6]
张书明 [1]
赵德刚 [1]
Document Type
Journal a... [10]
Thesis [1]
Date Issued
2002 [2]
2001 [8]
2000 [1]
Language
中文 [10]
Source Publication
中国科学. A辑,数... [2]
中国科学. E辑,技... [2]
半导体学报 [2]
Chinese Jo... [1]
中国科学. A辑, ... [1]
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立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255
Authors:
沈晓明
;
渠波
;
冯志宏
;
杨辉
Adobe PDF(305Kb)
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View/Download:783/256
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Submit date:2010/11/23
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
Authors:
孙元平
;
付羿
;
渠波
;
王玉田
;
冯玉宏
;
赵德刚
;
郑新和
;
段俐宏
;
李秉臣
;
张书明
;
杨辉
;
姜晓明
;
郑文莉
;
贾全杰
Adobe PDF(713Kb)
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Submit date:2010/11/23
氮化镓基材料的结构特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
Authors:
渠波
Adobe PDF(8902Kb)
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Submit date:2009/04/13
Determination of structure and polarity of SiC single crystal by X-ray diffraction technique
期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35-39
Authors:
Zheng Xinhe, Qu Bo, Wang Yutian, Yang Hui, Liang Junwu
Adobe PDF(1569Kb)
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Submit date:2014/05/15
使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
Authors:
郑新和
;
渠波
;
王玉田
;
杨辉
;
梁骏吾
Adobe PDF(218Kb)
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Submit date:2010/11/23
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 1222
Authors:
刘文楷
;
林世鸣
;
武术
;
朱家廉
;
高俊华
;
渠波
;
陆建祖
;
廖奇为
;
邓晖
;
陈弘达
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Submit date:2010/11/23
立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
Authors:
渠波
;
郑新和
;
王玉田
;
韩景仪
;
徐大鹏
;
林世鸣
;
杨辉
;
梁骏吾
Adobe PDF(216Kb)
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Submit date:2010/11/23
计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 146
Authors:
渠波
;
郑新和
;
王玉田
;
冯志宏
;
韩景仪
;
刘世安
;
林世鸣
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23
立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
期刊论文
中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
Authors:
渠波
;
李顺峰
;
胡国新
;
郑新和
;
王玉田
;
林世鸣
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23
Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 242
Authors:
郑新和
;
渠波
;
王玉田
;
戴自忠
;
杨辉
;
梁骏吾
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Submit date:2010/11/23