氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
冯淦; 杨辉; 梁骏吾
2004-04-21
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2002-10-16
语种中文
申请号CN02145890.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2855
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
冯淦,杨辉,梁骏吾. 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法[P]. 2004-04-21.
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