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246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制 期刊论文
红外与激光工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
Authors:  颜廷静;  种明;  赵德刚;  张爽;  陈良惠
Adobe PDF(249Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1825/685  |  Submit date：2011/08/16
Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究 期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 10, 页码: 6513-6519
Authors:  邢海英;  范广涵;  赵德刚;  何苗;  章勇;  周天明
Adobe PDF(437Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1070/390  |  Submit date：2010/11/23
Structural properties of ne implanted GaN 期刊论文
PHYSICA SCRIPTA, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: Art. No. 035601
Authors:  Majid A;  Ali A;  Zhu JJ;  Liu W;  Lu GJ;  Zhang LQ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhao DG;  Zhang SM;  Jiang DS;  Wang YT;  Yang H;  Israr M;  Majid, A, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: abdulmajid40@yahoo.com
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Raman-scattering  
蓝紫光InGaN多量子阱激光器 期刊论文
中国科学. E辑， 技术科学, 2007, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 356-359
Authors:  李德尧;  张书明;  王建峰;  陈俊;  陈良惠;  种明;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  杨辉;  梁骏吾
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空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展 期刊论文
激光与红外, 2006, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 1009-1012
Authors:  张燕;  龚海梅;  白云;  陈亮;  许金通;  汤英文;  游达;  赵德刚;  郭丽伟;  李向阳
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背照式GaN／AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 期刊论文
激光与红外, 2006, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 1036-1039
Authors:  陈亮;  游达;  汤英文;  乔辉;  陈俊;  赵德刚;  张燕;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(580Kb)  |  Favorite  |  View/Download：773/265  |  Submit date：2010/11/23
GaN基紫外探测器及其研究进展 期刊论文
红外与激光工程, 2006, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 276-280
Authors:  李向阳;  许金通;  汤英文;  李雪;  张燕;  龚海梅;  赵德刚;  杨辉
Adobe PDF(163Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1977/810  |  Submit date：2010/11/23
氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 期刊论文
高技术通讯, 2005, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 62-67
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  沈晓明;  段俐宏;  杨辉
Adobe PDF(296Kb)  |  Favorite  |  View/Download：1365/603  |  Submit date：2010/11/23
Reduction of tensile stress in GaN grown on Si(111) by inserting a low-temperature AlN interlayer 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321
Authors:  Zhang BS;  Wu M;  Liu JP;  Chen J;  Zhu JJ;  Shen XM;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Boyd AR;  Zhang, BS, Changchun Univ Sci & Technol, State Key Lab High Power Semicond Lasers, Weixing Rd 7083, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址: baoshunzhang@126.com
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X-ray Diffraction  
Effect of the N/Al ratio of AlN buffer on the crystal properties and stress state of GaN film grown on Si(111) substrate 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 331-335
Authors:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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