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| 具有室温量子效应的硅基杂质原子晶体管研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 陈俊东 Adobe PDF(43354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:247/1  |  提交时间:2023/07/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张奇; 赵懿昊; 董振; 王翠鸾; 李伟; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(1594Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:425/6  |  提交时间:2017/03/16 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07 发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华 Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1424/342  |  提交时间:2012/09/07 |
| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07 发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华 Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/343  |  提交时间:2012/09/07 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1540/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东 Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/95  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06 发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:863/91  |  提交时间:2014/10/24 |
| 采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:642/115  |  提交时间:2014/10/31 |
| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1075Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:951/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 王进泽; 杨香; 颜伟; 刘胜北; 赵继聪; 何志; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:648/1  |  提交时间:2016/08/30 |