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| Long-range-ordered Ag nanodot arrays grown on GaAs substrate using nanoporous alumina mask 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2013, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 160-164
Authors: Liu, Wen; Wang, Xiaodong; Xu, Rui; Wang, Xiaofeng; Cheng, Kaifang; Ma, Huili; Yang, Fuhua
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| 相变随机存储器关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors: 程凯芳
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| Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 21, 页码: 213505
Authors: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan; Ji An; Yang Fuhua
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
Inventors: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 垂直相变存储器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256816.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华
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