| 半导体晶体管结构及其制造方法; 半导体晶体管结构及其制造方法 |
| 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-07
; 2011-12-14
; 2012-09-07
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种半导体晶体管结构,包括：一绝缘体上硅,该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅,该顶层硅的中间有一凹部,该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区,该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道,该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一掺杂类型；一栅极导电条制作在凹部内,并包裹硅鳍状结构；一漏电极,该漏电极制作在顶层硅的漏区上；一源电极,该源电极制作在顶层硅的源区上；一栅电极,该栅电极制作在栅极导电条上。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 申请日期 | 2011-08-22
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| 专利号 | CN102280454A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110241106.7
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23346
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张严波,韩伟华,杜彦东,等. 半导体晶体管结构及其制造方法, 半导体晶体管结构及其制造方法. CN102280454A.
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