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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  颜翠英;  王晓亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF (Hou Qi-Feng);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Xiao;  HL (Xiao Hong-Ling);  Wang CM (Wang Cui-Mei);  Yang CB (Yang Cui-Bai);  Li JM (Li Jin-Min);  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qfhou@semi.ac.cn
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采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102181921A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  魏萌;  王晓亮;  潘旭;  李建平;  刘宏新;  王翠梅;  肖红领
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2067/447  |  提交时间：2012/08/29