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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体... [137]
作者
刘兴昉 [1]
徐波 [1]
文献类型
期刊论文 [103]
会议论文 [34]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [13]
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语种
英语 [137]
出处
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共137条,第1-10条
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语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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期刊论文
作者:
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
;
Sun L Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Natl Lab Infrared Phys Shanghai 200083 Peoples R China. E-mail Address: yug@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
商丽燕
;
林铁
;
周文政
;
黄志明
;
李东临
;
高宏玲
;
崔利杰
;
曾一平
;
郭少令
;
褚君浩
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浏览/下载:1162/300
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou WZ
;
Huang ZM
;
Qiu ZJ
;
Lin T
;
Shang LY
;
Li DL
;
Gao HL
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Guo SL
;
Gui YS
;
Dai N
;
Chu JH
;
Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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浏览/下载:1023/265
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou, WZ (Zhou, W. Z.)
;
Lin, T (Lin, T.)
;
Shang, LY (Shang, L. Y.)
;
Yu, G (Yu, G.)
;
Huang, ZM (Huang, Z. M.)
;
Guo, SL (Guo, S. L.)
;
Gui, YS (Gui, Y. S.)
;
Dai, N (Dai, N.)
;
Chu, JH (Chu, J. H.)
;
Cui, LJ (Cui, L. J.)
;
Li, DL (Li, D. L.)
;
Gao, HL (Gao, H. L.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang QY
;
Wang J
;
Wang JH
;
Liu ZL
;
Lin LY
;
Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novl Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qywang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong ZY
;
Zhao YM
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Lin LY
;
Dong, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: dongzy@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1107/316
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Dong ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1512/402
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提交时间:2010/08/12
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1719/427
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Sci Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1723/328
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提交时间:2010/11/15
Neutron Irradiation
Annealing
Defects In Silicon
Spectra
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Chen NF
;
Lin LY
;
Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1195/387
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提交时间:2010/08/12