SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
商丽燕; 林铁; 周文政; 黄志明; 李东临; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 郭少令; 褚君浩
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:4Pages:2481-2485
Abstract研究了不同沟道厚度的In_(0.53) Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关.
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:6 2215 2)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language英语
CSCD IDCSCD:3242991
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16103
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
商丽燕,林铁,周文政,等. In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性[J]. 物理学报,2008,57(4):2481-2485.
APA 商丽燕.,林铁.,周文政.,黄志明.,李东临.,...&褚君浩.(2008).In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.物理学报,57(4),2481-2485.
MLA 商丽燕,et al."In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性".物理学报 57.4(2008):2481-2485.
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