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| Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者: Wei M (Wei Meng); Wang XL (Wang Xiaoliang); Pan X (Pan Xu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Zhang ML (Zhang Minglan); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Y (Zhang Yang); Guan M (Guan Min); Liu XF (Liu Xingfang); Zeng YP (Zeng Yiping)
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| 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033960.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033965.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 殷海波 ; 王晓亮; 胡国新; 冉军学; 肖红领; 张露; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033967.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033964.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033962.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 金属有机物化学沉积设备的反应室 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033963.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
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| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽
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| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟
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