| 金属有机物化学沉积设备的反应室 |
| 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 殷海波 ; 张露; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN201010033963.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010033963.3
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| 专利代理人 | 王新华
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22315
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
冉军学,王晓亮,胡国新,等. 金属有机物化学沉积设备的反应室. CN201010033963.3.
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