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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X; Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X; Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X; Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘喆 ; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘宇; 谢亮; 袁海庆; 张家宝; 祝宁华; 孙长征; 熊兵; 罗毅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张国强; 刘忠立; 李宁; 范楷; 郑中山; 张恩霞; 易万兵; 陈猛; 王曦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郑中山; 刘忠立; 张国强; 李宁; 范楷; 张恩霞; 易万兵; 陈猛; 王曦
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 赵万顺; 王雷; 张永兴; 曾一平
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