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| 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王启元; 王俊; 王建华
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| 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘喆; 李晋闽; 王军喜; 王晓亮; 王启元; 刘宏新; 王俊; 曾一平
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| 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
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| 硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王启元; 王俊; 王建华
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| 双异质外延SOI材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王启元; 王俊; 王建华
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| 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: SHEN Wenjuan; Wang Jun; Wang Qiyuan; Duan Yao; Zeng Yiping
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘喆 ; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shen Wenjuan; Wang Jun; Duan Yao; Wang Qiyuan; Zeng Yiping
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王启元; 谭利文; 王俊; 郁元恒; 林兰英
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