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半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王启元;  王俊;  王建华
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王启元;  王俊;  王建华
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双异质外延SOI材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王启元;  王俊;  王建华
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD 期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66
Authors:  SHEN Wenjuan;  Wang Jun;  Wang Qiyuan;  Duan Yao;  Zeng Yiping
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在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 2378-2384
Authors:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
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Effects of Thickness on Properties of ZnO Films Grown on Si by MOCVD 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 2069-2073
Authors:  Shen Wenjuan;  Wang Jun;  Duan Yao;  Wang Qiyuan;  Zeng Yiping
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新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备 期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 300-304
Authors:  王启元;  谭利文;  王俊;  郁元恒;  林兰英
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