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基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  王章涛;  陈媛媛;  李艳萍
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倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明;  王良臣
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张富强;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY;  Li G;  Chen M;  Yu HJ;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang, BY, Beijing Univ Technol, Coll Laser Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbingyuan@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhang R;  Xie ZL;  Xiu XQ;  Bi ZX;  Gu SL;  Shi Y;  Zheng YD;  Hu LJ;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DJ;  Shen B;  Bi ZX;  Zhang KX;  Gu SL;  Zhang R;  Shi, Y;  Zheng YD;  Sun XH;  Wan SK;  Wang ZG;  Shen, B, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@netra.nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang CG;  Bian LF;  Chen WD;  Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangcg@semi.ac.cn
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