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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  申荣铉;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  高鹏;  崔增文
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垂直腔面发射激光器的光收发一体模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  申荣铉;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  梁琨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Liu JP;  Chen J;  Zhu JJ;  Shen XM;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Boyd AR;  Zhang, BS, Changchun Univ Sci & Technol, State Key Lab High Power Semicond Lasers, Weixing Rd 7083, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址: baoshunzhang@126.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu M;  Zhang BS;  Chen J;  Liu JP;  Shen XM;  Zhao DG;  Zhang JC;  Wang JF;  Li N;  Jin RQ;  Zhu JJ;  Yang H;  Wu, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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半导体纳米结构物理性质的理论研究 成果
2004
主要完成人:  夏建白;  李树深;  常凯;  朱邦芬
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纳米结构  
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Wang, QY;  Shen, WJ;  Wang, J;  Wang, JH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Ultraviolet-laser Emission  Thin-films  Zinc-oxide  Room-temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立国;  肖景林;  李树深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李树深;  李新奇;  岑理相;  王亮;  艾合买提;  金光生;  白彦魁;  郑厚植
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