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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1283/218  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1292/471  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, W;  Yang, JL;  Sun, GS;  Liu, XF;  Yang, FH;  Li, JM;  Zhou, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jlyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(750Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/423  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Ning, J;  Liu, XF;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes 会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:  Zhou, W;  Yang, JL;  Sun, GS;  Liu, XF;  Yang, FH;  Li, JM;  Zhou, W, CAS, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
Adobe PDF(511Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2047/511  |  提交时间：2010/03/09
Bulge Test Fracture Property  Silicon Carbide Thin Films  Weibull Distribution Function  
Optimized design on high-power GaN-based Micro-LEDs - art. no. 684108 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Fan, JM;  Wang, LC;  Guo, JX;  Yi, XY;  Liu, ZQ;  Wang, GH;  Li, JM;  Fan, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan-based Led  Micro-leds  Light Extraction Efficiency  Ray Tracing  Flip-chip  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, NH;  Han, W;  Li, W;  Chen, W;  Wen, JM;  Liu, Y;  Xie, L;  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhzhu@semi.ac.cn
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The effects of sapphire substrates processes to the LED efficiency - art. no. 68410M 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Yang, H;  Chen, Y;  Wang, LB;  Yi, XY;  Fan, JM;  Liu, ZQ;  Yang, FH;  Wang, LC;  Wang, GH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan-based Led  Grinding  Ray Tracing