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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
Authors:  刘胜北
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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
Authors:  闫果果
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4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  刘斌
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4h-sic  碳化硅  快速外延生长  Fast Epitaxial Growth  
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
Inventors:  刘斌;  孙国胜;  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  刘胜北;  张峰;  赵万顺;  王雷;  曾一平
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