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4H-SiC快速外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  刘斌
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4h-sic  碳化硅  快速外延生长  Fast Epitaxial Growth  
4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人:  刘斌;  孙国胜;  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  刘胜北;  张峰;  赵万顺;  王雷;  曾一平
Adobe PDF(657Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：996/119  |  提交时间：2014/11/24