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一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  王占国
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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
Authors:  李昱峰;  韩培德;  陈振;  黎大兵;  王占国;  刘祥林;  陆大成;  王晓军;  汪度
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GaN的声表面波特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164
Authors:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 39-43
Authors:  李昱峰;  韩培德;  陈振;  黎大兵;  王占国
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钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138
Authors:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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InGaN量子点的 MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
Authors:  李昱峰
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铟镓氮薄膜的光电特性 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
Authors:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究 期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 451-455
Authors:  李昱峰;  陈振;  韩培德;  王占国
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