×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体... [104]
中科院半导体照明研发... [1]
纳米光电子实验室 [1]
作者
徐波 [5]
江德生 [3]
赵德刚 [2]
叶小玲 [2]
韩培德 [2]
黎大兵 [1]
更多...
文献类型
会议论文 [106]
发表日期
2016 [1]
2009 [3]
2008 [12]
2007 [1]
2006 [15]
2005 [3]
更多...
语种
英语 [105]
出处
JOURNAL O... [15]
SOLID STAT... [6]
Physica St... [5]
THIN SOLID... [4]
2008 9TH I... [3]
APOC 2001:... [3]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [94]
其他 [10]
CPCI(ISTP) [1]
资助机构
China Nat... [15]
SPIE.; Chi... [6]
Chinese Va... [4]
IEEE Beiji... [3]
Japan Soc ... [3]
Japan Soc ... [3]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共106条,第1-10条
帮助
限定条件
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method
会议论文
, 中国深圳, 2015
作者:
Yingdong Tian
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Xiang Chen
;
Yanan Guo
;
Xuecheng Wei
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
Adobe PDF(336Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1129/5
  |  
提交时间:2016/06/02
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(246Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2020/307
  |  
提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(334Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1961/335
  |  
提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
High polarization single dipole mode photonic crystal microlaser
会议论文
2009 14TH OPTOELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC 2009): 843-844 2009, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, JUL 13-17, 2009
作者:
Chen W (Chen Wei)
;
Xing MX (Xing Mingxin)
;
Zhou WJ (Zhou Wenjun)
;
Liu AJ (Liu Anjin)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Zheng WH (Zheng Wanhua)
Adobe PDF(226Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1634/250
  |  
提交时间:2011/07/14
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3875Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1874/433
  |  
提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(217Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2026/329
  |  
提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(222Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2145/451
  |  
提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1858/355
  |  
提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1746Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3111/891
  |  
提交时间:2010/03/09
Gan
Mocvd
Led
Nano-pattern
Sem
Hrxrd
Pl
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(954Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1904/511
  |  
提交时间:2010/03/09
Hvpe
Gan
Nitridation
Polarity
Etching