已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1697/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 量子级联探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010191861.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孔宁; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1470/282  |  提交时间:2011/08/31 |
| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(1964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1555/193  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1117/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102427108A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李新坤; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(630Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1013/176  |  提交时间:2012/09/09 |
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:831/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19 发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青 Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:959/72  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:921/71  |  提交时间:2014/12/25 |
| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:831/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:790/53  |  提交时间:2014/12/25 |