硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-10-09
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-07-22
申请号CN201310306847.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25832
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
周旭亮,于红艳,李梦珂,等. 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法.
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