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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Wang YB;  Wang YT;  Sun GS;  Lin LY;  Wang YS,Beijing Normal Univ,Dept Phys,Beijing 100875,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李联合;  潘钟;  张伟;  林耀望;  王学宇;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王燕;  岳瑞峰;  韩和相;  廖显伯;  王永谦;  刁宏伟;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘钟;  李联合;  徐应强;  杜云;  林耀望
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡国新;  孙殿照;  王晓亮;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙国胜;  罗木昌;  王雷;  朱世荣;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王东辉;  李刚;  林雨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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