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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 53
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy 三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862-866
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962
Authors:  Yu Z(于卓);  Li DZ(李代宗);  Cheng BW(成步文);  Li C(李成);  Lei ZL(雷震霖);  Huang CJ(黄昌俊);  Zhang CH(张春辉);  Yu JZ(余金中);  Wang QM(王启明);  Liang JW(梁骏吾)
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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 564
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862
Authors:  于卓;  李代宗;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明;  梁骏吾
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Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善 期刊论文
材料研究学报, 2000, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 215
Authors:  李代宗;  于卓;  雷震霖;  成步文;  余金中;  王启明
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Comparison of GexSi1—x Grown by UHV/CVD from Si2H6/GeH4 and SiH4/GeH4 期刊论文
Semiconductor Photonics and Technology, 1999, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 134
Authors:  李代宗;  于卓;  成步文;  黄昌俊;  雷震霖;  余金中;  王启明
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Si_(1-y)C_y合金的固相外延生长及其特性 期刊论文
发光学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 60
Authors:  于卓;  余金中;  成步文;  雷震霖;  李代宗;  王启明;  梁骏吾
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