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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB;  Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JF (Wang J. F.);  Yao DZ (Yao D. Z.);  Chen J (Chen J.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄大定;  刘超;  李建平;  高斐;  孙殿照;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡国新;  王晓亮;  孙殿照;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平;  李晋闽;  孔梅影;  林兰英;  刘新宇;  刘键;  钱鹤
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气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙殿照;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨冰;  蒲以康;  孙殿照
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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡国新;  孙殿照;  王晓亮;  刘宏新;  刘成海;  曾一平;  李晋闽;  林兰英
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