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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  何国荣;  郑婉华;  渠红伟;  杨国华;  王青;  吴旭明;  曹玉莲;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴旭明;  王小东;  何国荣;  王青;  曹玉莲;  谭满清
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴旭明;  王小东;  何国荣;  王青;  曹玉莲;  谭满清
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  佟存柱;  牛智川;  韩勤;  杜云;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Han Q (Han Qin);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Huang SS (Huang She-Song);  Du Y (Du Yun);  Peng HL (Peng Hong-Ling);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wu RH (Wu Rong-Han);  Yang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Wu XM (Wu Xu-Ming);  Wang Q (Wang Qing);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  He GR (He Guo-Rong);  Tan MQ (Tan Man-Qing);  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wxd@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao H (Zhao Huan);  Xu YQ (Xu Ying-Qiang);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Han Q (Han Qin);  Wu RH (Wu Rong-Han);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn;  zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Lian P (Lian Peng);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang Q (Wang Qing);  Wu XM (Wu Xu-Ming);  He GR (He Guo-Rong);  Li H (Li Hui);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Song GF (Song Guo-Feng);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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