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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LC;  Wang XL;  Xiao HL;  Ran JX;  Wang CM;  Ma ZY;  Luo WJ;  Wang ZG;  Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wei DY;  Xu J;  Han PG;  Wang X;  Ma ZY;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DY;  Wang X;  Wei DY;  Wang T;  Xu J;  Ma ZY;  Li W;  Chen KJ;  Shi WH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Natl Lab Solid State Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: junxu@nju.edu.cn
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XY (Wang, Xiaoyan);  Wang XL (Wang, Xiaoliang);  Hu GX (Hu, Guoxin);  Wang BZ (Wang, Baozhu);  Ma ZY (Ma, Zhiyong);  Xiao HL (Xiao, Hongling);  Wang CM (Wang, Cuimei);  Ran JX (Ran, Junxue);  Li JP (Li, Jianping);  Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xywang@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Cheng TS;  Ma ZY;  Hu G;  Xiao HL;  Ran JX;  Wang CM;  Luo WJ;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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