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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
;
尚向军
;
倪海桥
;
王海莉
;
李密峰
;
朱岩
;
王莉娟
;
喻颖
;
贺正宏
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1592/245
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提交时间:2012/08/29
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人:
喻颖
;
李密锋
;
贺继方
;
査国伟
;
徐建星
;
尚向军
;
王莉娟
;
倪海桥
;
贺振宏
;
牛智川
Adobe PDF(588Kb)
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浏览/下载:1003/109
  |  
提交时间:2014/11/05
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
Adobe PDF(349Kb)
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浏览/下载:737/0
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提交时间:2016/08/30
一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
杨香
;
刘兴昉
;
张峰
;
王雷
;
田丽欣
;
刘敏
;
申占伟
;
赵万顺
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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浏览/下载:833/0
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提交时间:2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
刘胜北
;
何志
;
刘斌
;
刘兴昉
;
杨香
;
樊中朝
;
王晓峰
;
王晓东
;
赵永梅
;
杨富华
;
孙国胜
;
曾一平
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提交时间:2016/09/28