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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨辉; 张书明 ; 王良臣
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| 大规模光电集成RCE探测器面阵器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 裴为华; 毛陆虹; 吴荣汉; 杜云; 唐君; 邓晖; 梁琨
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| 制作立体神经微电极的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 裴为华; 赵辉; 王宇; 陈三元; 汤戎昱; 陈远方; 陈弘达
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 可编程门列阵中嵌入式可重构存储器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224990.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张会; 陈陵都; 于芳
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| 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 金鹏; 魏恒; 吴艳华; 陈红梅; 王占国
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人: 李亮; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 吴亮亮; 乐伶聪; 杨辉
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| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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