n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法
白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
2007-04-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-09-28
语种中文
申请号200510105262
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3713
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
白一鸣,陈诺夫,梁平,等. n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法[P]. 2007-04-04.
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