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GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  李晓静
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稀磁半导体量子点自旋特性的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
Authors:  李晓静
Adobe PDF(9706Kb)  |  Favorite  |  View/Download:740/32  |  Submit date:2009/04/13
一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
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高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
Inventors:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
Adobe PDF(330Kb)  |  Favorite  |  View/Download:358/88  |  Submit date:2014/11/24
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
Inventors:  乐伶聪;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  何晓光;  李晓静;  杨辉
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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
Inventors:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  杨静;  赵德刚;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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降低Ni/Au与p-GaN欧姆接触的比接触电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  李晓静;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  陈平
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制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  李晓静;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  陈平
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AlxGa1-xN基紫外探测器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  赵德刚;  李晓静;  江德生;  刘宗顺;  朱建军;  陈平
Adobe PDF(544Kb)  |  Favorite  |  View/Download:114/2  |  Submit date:2016/09/12